IRFB9N60A N-Kanal Güç MOSFET Transistör | TO-220 Paket

IRFB9N60A, yüksek voltaj ve dayanıklılığıyla öne çıkan bir N-Kanal Güç MOSFET transistör modelidir. Sağlam TO-220 paket yapısı sayesinde, endüstriyel güç kaynakları, SMPS (Anahtarlamalı Güç Kaynakları) ve inverter devrelerinde sıkça kullanılır. Yüksek dayanım gerilimi, düşük gate şarjı ve düşük RDS(on) değeri ile yüksek verimlilik sağlar.

Ürün Özellikleri

• Model: IRFB9N60A
• Tip: N-Kanal Güç MOSFET
• Drain-Source Gerilim (Vds): 600V
• Drain Akımı (Id): 9.2A
• Gate Threshold Gerilim (Vgs(th)): 2V ~ 4V
• RDS(on): Maksimum 0.85 Ohm (@ Vgs = 10V)
• Güç Dağılımı (Ptot): 190W
• Paket Tipi: TO-220
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +150°C

Kullanım Alanları

• Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
• Endüstriyel Güç Kaynakları
• Inverter ve Evirici Devreleri
• LED Sürücü Devreleri
• Yüksek Voltaj Güç Yönetimi Uygulamaları

Avantajları

• Yüksek gerilim dayanımı (600V)
• Düşük gate şarjı ile hızlı anahtarlama
• Yüksek güç dağıtım kapasitesi (190W)
• TO-220 paket ile kolay montaj ve soğutma
• Geniş çalışma sıcaklığı aralığı

Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

IRFB9N60A nerelerde kullanılır?

Bu MOSFET, SMPS güç kaynakları, inverter devreleri, LED sürücüler ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.

Gate gerilimi ne olmalıdır?

Gate threshold gerilimi 2V ile 4V arasındadır. Verimli anahtarlama için genellikle 10V gate gerilimi uygulanır.

IRFB9N60A için soğutma gerekli mi?

Evet, TO-220 paket yapısı yüksek güçlerde mutlaka heatsink (soğutucu) ile desteklenmelidir.

Benzer MOSFET’lerden farkı nedir?

IRFB9N60A, 600V yüksek gerilim dayanımı ve düşük gate şarjıyla, yüksek verimlilik isteyen devrelerde güvenle kullanılır.

SEO İçin Anahtar Kelimeler

IRFB9N60A, N-Kanal MOSFET, TO-220 MOSFET, yüksek voltaj MOSFET, SMPS MOSFET, inverter MOSFET, güç transistörü, MOSFET fiyatları, IRFB9N60A datasheet