IRFD120 N-Kanal Güç MOSFET Transistör | HVMDIP-4 Paket

IRFD120, düşük akım ve yüksek voltaj kapasitesine sahip kompakt bir N-Kanal Güç MOSFET transistör modelidir. Küçük boyutlu HVMDIP-4 paket yapısıyla yerden tasarruf sağlar ve düşük güçlü, yüksek voltajlı devrelerde ideal bir çözüm sunar. Düşük gate threshold gerilimi ve kolay sürülebilir yapısı ile verimli ve güvenilir performans sağlar.

Ürün Özellikleri

• Model: IRFD120
• Tip: N-Kanal Güç MOSFET
• Drain-Source Gerilim (Vds): 100V
• Drain Akımı (Id): 1.3A
• Gate Threshold Gerilim (Vgs(th)): 2V ~ 4V
• RDS(on): Maksimum 5 Ohm (@ Vgs = 10V)
• Güç Dağılımı (Ptot): 1.3W
• Paket Tipi: HVMDIP-4 (DIP-4)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +150°C

Kullanım Alanları

• Düşük Güçlü Yüksek Voltaj Anahtarlama Devreleri
• LED Aydınlatma Kontrol Devreleri
• Batarya Şarj ve Koruma Devreleri
• DC-DC Dönüştürücüler
• Küçük Motor Sürücü Devreleri

Avantajları

• 100V yüksek voltaj dayanımı ve 1.3A akım kapasitesi
• Kompakt HVMDIP-4 paket tasarımıyla yer tasarrufu sağlar
• Düşük gate threshold gerilimi sayesinde kolay sürülebilirlik
• Düşük güç tüketimi ve düşük ısı üretimi
• Hızlı anahtarlama performansı

Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

IRFD120 nerelerde kullanılır?

IRFD120; düşük güçlü, yüksek voltajlı LED sürücü devreleri, batarya şarj devreleri, küçük motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.

Gate gerilimi ne olmalıdır?

Gate threshold gerilimi 2V ile 4V arasındadır. Genellikle 10V gate gerilimiyle tam anahtarlama sağlanır.

Soğutma gerekli mi?

Düşük güç uygulamalarında genellikle ek soğutma gerektirmez. Uygun PCB tasarımı yeterlidir.

Benzer MOSFET’lerden farkı nedir?

IRFD120, küçük boyutlu HVMDIP-4 paketi, 100V voltaj dayanımı ve düşük akım kapasitesiyle düşük güçlü yüksek voltaj devrelerinde ideal bir tercihtir.

SEO İçin Anahtar Kelimeler

IRFD120, N-Kanal MOSFET, HVMDIP-4 MOSFET, DIP MOSFET, düşük güçlü MOSFET, LED sürücü MOSFET, batarya MOSFET, MOSFET fiyatları, IRFD120 datasheet