IRFD9120 P-Kanal Güç MOSFET Transistör | HVMDIP-4 Paket

IRFD9120, düşük akım ve yüksek voltaj uygulamalarına uygun, kompakt bir P-Kanal Güç MOSFET transistör modelidir. Küçük boyutlu HVMDIP-4 paket yapısı sayesinde yer tasarrufu sağlar ve yüzey montaj uyumlu yapısıyla düşük güçlü, yüksek voltajlı devrelerde ideal çözüm sunar. Düşük gate threshold gerilimi sayesinde kolay sürülebilir ve güvenilir performans sağlar.

Ürün Özellikleri

• Model: IRFD9120
• Tip: P-Kanal Güç MOSFET
• Drain-Source Gerilim (Vds): -100V
• Drain Akımı (Id): -1.6A
• Gate Threshold Gerilim (Vgs(th)): -2V ~ -4V
• RDS(on): Maksimum 5 Ohm (@ Vgs = -10V)
• Paket Tipi: HVMDIP-4 (DIP-4)
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +150°C

Kullanım Alanları

• Düşük Güçlü Yüksek Voltaj Anahtarlama Devreleri
• LED Aydınlatma Kontrol Devreleri
• Batarya Koruma ve Şarj Devreleri
• DC-DC Dönüştürücüler
• Küçük Motor Sürücü Devreleri

Avantajları

• -100V yüksek voltaj dayanımı ve -1.6A akım kapasitesi
• Kompakt HVMDIP-4 paket yapısı ile yer tasarrufu
• Düşük gate threshold gerilimi sayesinde kolay sürülebilirlik
• Düşük güç tüketimi ve düşük ısı üretimi
• Hızlı anahtarlama kabiliyeti

Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

IRFD9120 nerelerde kullanılır?

IRFD9120; LED sürücü devreleri, batarya koruma sistemleri, düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler ve küçük motor kontrol devrelerinde kullanılabilir.

Gate gerilimi ne olmalıdır?

Gate threshold gerilimi -2V ile -4V arasındadır. Genellikle -10V gate gerilimiyle tam anahtarlama sağlanır.

Soğutma gerekli mi?

Düşük güçlü uygulamalarda ek soğutma gerektirmez. Yeterli PCB ısı dağılımı sağlanırsa ek önleme ihtiyaç yoktur.

Benzer MOSFET’lerden farkı nedir?

IRFD9120, küçük HVMDIP-4 paketi, P-Kanal yapısı ve yüksek voltaj dayanımıyla düşük güçlü, yüksek voltajlı uygulamalarda ideal bir MOSFET'tir.

SEO İçin Anahtar Kelimeler

IRFD9120, P-Kanal MOSFET, HVMDIP-4 MOSFET, DIP MOSFET, düşük güçlü MOSFET, LED sürücü MOSFET, batarya MOSFET, MOSFET fiyatları, IRFD9120 datasheet